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반도체, 신화창조의 시작

우리나라가 처음 생산한 반도체는 1965년 ‘고미반도체 ’가 미국 업체와 합작 을 통해 생산한 트렌지스터다. 이후 저임 금과 풍부한 노동력을 바탕으로 극심한 가격 경쟁에서 우위를 확보함으로써 반도 체산업은 성장기반을 마련했다.
1983년에 삼성전자를 비롯한 대기업이 반도체산업에 투자를 시작하면서 우리나 라는 본격적으로 세계 수준에 근접하는 기술력을 축적해왔다.

16M DRAM 공동개발 경과보고회1988년 자체 기술 에 의해 4M DRAM을 개발함으로써 비로 소 세계 메모리반도체 기술을 선도하기 시작했다.
우리나라가 짧은 기간 동안 메모리반도 체 세계 최강국으로 부상할 수 있었던 것 은, 첫째 대량생산이 가능하며 시장이 큰 메모리 분야를 전략적으로 집중 선택했기 때문이며, 둘째 오너 경영을 통해 신속한 의사 결정을 내릴 수 있었기 때문이며,셋째 경쟁우위 확보를 위한 과감한 투자를 아끼지 않았기 때문이었다.

이 밖에도 우리나라 반도체산업은 미 국 •일본과 연합하여 차세대반도체 표준 개발에도 적극 참여하고 있다.1999년 12 월 삼성전자와 현대전자(현 하이닉스반도 체)가 미국 마이크로테크놀로지 •일본 NEC •독일 인피니온테크놀로지 등 세계 적인 메모리반도체 업체와 차세대 범용 D 램을 공동개발하기로 함으로써 21세기 차 세대 반도체 시장에서도 우리나라가 주도 권을 행사할 것으로 예상된다.

이처럼 DRAM을 비롯한 메모리반도체 분야에서는 독보적인 위치를 확보하고 있 지만 상대적으로 부가가치가 높은 비메모 리반도체 분야에서는 현재까지도 부진을 면치 못하고 있다.정부와 각 기업체는 이 런 불균형을 바로잡기 위해 취약한 기반 을 개선하고자 노력하고 있다.

우리나라 반도체산업 발전 과정은 크게 5단계로 구분할 수 있다.
▶1단계(1965년 ~1973년):반도체 조립 기술을 흡수하여 조립 생산을 시작했다.
▶2단계(1974년 ~1982년):와이퍼 가 공기술을 익혀 시계용 칩,트렌지스터 등 을 주로 생산했다.
▶3단계(1983년 ~1987년):자체 기술 력으로 64K,256K,1M DRAM 등을 생 산함으로써 세계 반도체시장으로부터 주 목을 받기 시작했다.
▶4단계(1988년 ~1997년):4M DRAM,16M DRAM,64M DRAM(세계최초 상용제품 개발),256M DRAM 등을 개발 완료함으로써 반도체 분야 세계 최강국으로 부상했다.
▶5단계(1998년 이후):우리나라는 1G DRAM 등 차세대 초고집적반도체 생산 및 비메모리반도체 연구개발에 집중적인 투자를 하여 21세기 반도체기술 주도 기 반을 마련했다.

4M DRAM우리나라 반도체산업은 메모리반도체 분야에 극단적으로 치우져 있다.반도체 산업이 도입된 초기부터 전략적으로 메모 리반도체 분야에 집중한 결과 비메모리반도체 분야는 절대적인 열세를 면치 못하 고 있다.
즉,2000년 현재 우리나라는 메 모리반도체 분야에서는 세계 최고 시장점 유율을 차지하고 있는 반면,비메모리 분 야에서는 1.5%에 그치고 있는 것이다.

메모리반도체는 시장 흐름에 따라 제품 가격 등락이 심하고 상대적으로 부가가치 가 낮은 반면,비메모리반도체는 다양한 수요에 맞는 제품을 소량 생산할 수 있기 때문에 시장 흐름에 영향을 받지 않을 뿐 만 아니라 부가가치도 높은 장점이 있다. 또한 대규모 설비가 필요치 않기 때문에 위험요소가 적어 중소벤처기업형 사업구 조에 적합한 특징이 있다.

선진국을 비롯한 세계 각국은 이러한 특 장점을 가지고 있는 비메모리반도체산업분야에서 경쟁우위를 선점하기 위해 지속 적인 노력을 기울이고 있다.
그러나 우리나라는 메모리반도체 분야 에 집중한 결과 미국 일본에 비해 상당한 격차를 보이고 있다.특히 기반기술, 설계 기술 분야는 미국의 50%수준에 머물러 있는 현실이다.

이에 정부에서는 비메모리반도체 분야 의 경쟁력 확보를 위해 우수한 설계인력 양성을 위한 교육투자를 확대하고, 다품 종 소량 생산에 적합한 중소벤처기업 창 업 및 지원을 확대하고 있다.메모리반도 체에 중점을 두었던 대기업에서도 비메모 리반도체 분야에 투자를 확대하여 메모 리 •비메모리간 균형을 맞추기 위해 다각 도로 활로를 모색하고 있다.

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